MWT-LN300

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编号：

938-MWT-LN300

制造商编号：

MWT-LN300

制造商：

CML Micro

客户编号:

说明：

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Low Noise pHEMT Devices

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数据表:

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卷轴和eel™ （添加 ¥15.00 卷轴费）

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USHTS: 8541210040 TARIC: 8541290000 ECCN: EAR99

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GaAs FET & pHEMT Devices

MicroWave Technology GaAs FET and pHEMT Devices are ultra-linear, high-dynamic range, and low-phase noise devices that include commercial, industrial, military, and space-grade variants. The GaAs process employed by MicroWave Technology is approved for space applications with proven reliability. These devices come with standard and custom device specifications with high-rel and space-rel screening options availability. The GaAs FET and pHEMT devices are RoHS (lead-free) compliant and offer 100% wafer bond pull, die shear, wafer DC burn-in, and bake tests in evaluation per MIL-PRF-38534. These devices are typically suitable for oscillators, narrow-band, wideband applications, space, and military applications.

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